国产长鑫内存进步神速：19nm DDR4芯片产能翻番、17nm年底量产

合肥长新于去年9月正式生产国产10纳米(10纳米~ 19纳米)DDR4存储芯片(8Gb)。根据最新的行业消息，长新的19纳米晶片产量将从2万块/月增加到本季度末的4万块/月。

不仅如此，长新的17纳米工艺芯片正在按计划进行，并将在今年年底大规模生产。

长新目前有一个12英寸的工厂，每月总产能为120，000个晶圆。

值得一提的是，本周，长新与蓝布达成协议，并获得后者的动态随机存取存储器技术许可。此前，长新与威兰的全资子公司北极星创新达成协议，并从启明达获得超过1000万份动态随机存取存储器相关的技术文件和2.8兆字节的数据。

据悉，长新存储于2016年5月在安徽省合肥市启动，总投资1500亿元，专业从事动态随机存储器的研发、生产和销售。

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