国产长鑫内存进步神速：19nm DDR4芯片产能翻番、17nm年底量产

合肥长信去年9月正式生产国产10纳米(10纳米~ 19纳米)DDR4内存条(8Gb)。据业内最新消息，本季度末，长新的19纳米晶圆芯片产能将从2万片/月增加到4万片/月。

不仅如此，长新的17纳米工艺芯片正在按计划进行，并将在年底前大规模生产。

昌鑫目前拥有一家12英寸晶圆厂，总产能为12万片/月。

值得一提的是，本周，长新与Rambus(中文名蓝铂)达成协议，并从后者获得了DRAM技术许可。此前，长新与威兰的全资子公司北极星创新达成协议，从齐获得了1000多万份关于DRAM的技术文档和2.8TB数据。

据悉，长信存储于2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专门在R&D生产和销售DRAM内存。